近年來，國際大廠對SiC器件失效機理進行了深入分析，不斷開發新試驗用于測試基于SiC功率半導體器件固有的運行模式，同時改進其他硅基半導體功率器件試驗以滿足SiC固有的要求，了解新的潛在失效機制。目前國內對于這方面研究還處于起步階段。

     目前，集成電路測試與分析實驗室滿足硅基器件驗證（如AEC-Q101）的市場需求，但隨著第三代半導體廠商的快速成長，逐漸關注SiC器件潛在失效機制的驗證、失效率及壽命的評估。如模塊車規驗證標準AQG 324更新了2021版本，增加SiC Mosfet模塊驗證內容，但對于動態應力下SiC器件缺陷觸發實現沒有提及。隨著第三代半導體產業發展，市場上涌現很多競爭對手，如何保持廣電計量在第三代半導體領域的檢測優勢，需要深入研究SiC器件的失效機制，建立SiC器件檢測核心優勢，助力國內第三代半導體產業高質量發展。

     為解決制約第三代半導體產業發展的技術瓶頸，實現材料自主可控與產業化，使產品性能達到國際優秀水平，廣電計量集成電路測試與分析研究所對SiC器件進行深入分析，開展了SiC器件的柵極氧化層可靠性及動態應力下缺陷觸發技術的研究。經技術攻關，建立了一套完善準確的檢測方法和SiC mosfet閾值電壓測試系統，實現SiC器件失效率與應力壽命的評估及高壓運行與快速開關相結合的固有工作模式下缺陷觸發驗證試 驗，建立了動態柵偏、動態反偏、動態高溫高濕反偏試驗系統（H3TRB）試驗以及柵極氧化層壽命評估試驗能力。

目前，該項技術已向國家知識產權局申請發明專項4項，發表論文1篇。技術成果已為國內數十家元器件廠商提供了技術服務，贏得了眾多客戶信賴與認可。